Niveau d'étude
Bac +4
ECTS
3 crédits
Composante
UFR PhITEM (physique, ingénierie, terre, environnement, mécanique)
Période de l'année
Automne (sept. à dec./janv.)
Description
Contexte:
Le Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) est devenu le composant semi-conducteur le plus utilisé dans des applications allant de l’électronique numérique jusqu’à l’électronique de puissance.
Contenu :
- Introduction et rappel de physique des semi-conducteurs,
- Capacité MOS : régime de bandes plates, accumulation, inversion et déplétion,
- Transistor MOSFET : calcul du courant dans le canal d’un MOSFET, IDS(VDS) et IDS (VGS), schéma équivalent et comportement à hautes fréquences,
- Mise en œuvre dans un circuit : porte logique, amplificateur et interrupteur de puissance
- Spécificités des architectures des MOSFETs modernes pour l’électronique de puissance et l’électronique numérique.
Objectifs
Objectif :
L’objectif de ce cours est de comprendre le fonctionnement et les limitations de ce composant. Les caractéristiques statiques (IDS versus VDS et IDS versus VGS) et dynamiques (capacités parasites) seront étudiées en cours et TD et mesurées durant un TP. Les différentes architectures de composants seront abordées.
Heures d'enseignement
- TPTP4h
- CMCM9h
- TDTD9h
Pré-requis recommandés
physique des semi-conducteurs de base, électronique analogique, électrostatique.
Période
Semestre 7